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IEEE International Integrated Reliability Workshop final report

收录 1,045 篇论文，累计被引 4,531 次，出版年份 1997–2025。

收录篇数
1,045
总被引
4,531
篇均被引
4.3
单篇最高被引
104
年份区间
1997–2025
近五年篇数
111

逐年收录分布

近 27 个有收录的年份（最多 40 个）。悬停查看当年篇数。

0721431997 年：6 篇19971998 年：5 篇1999 年：2 篇2001 年：1 篇2002 年：143 篇20022003 年：105 篇2004 年：33 篇2005 年：56 篇2006 年：87 篇20062007 年：35 篇2008 年：48 篇2009 年：44 篇2010 年：42 篇20102011 年：38 篇2012 年：51 篇2013 年：46 篇2014 年：39 篇20142015 年：38 篇2016 年：29 篇2017 年：26 篇2019 年：36 篇20192020 年：24 篇2021 年：19 篇2022 年：28 篇2023 年：39 篇20232024 年：22 篇2025 年：3 篇2025
纵轴为当年收录篇数；峰值 143 篇（2002 年）。
查看数据表
年份篇数占比
202530.3%
2024222.1%
2023393.7%
2022282.7%
2021191.8%
2020242.3%
2019363.4%
2017262.5%
2016292.8%
2015383.6%
2014393.7%
2013464.4%
2012514.9%
2011383.6%
2010424.0%
2009444.2%
2008484.6%
2007353.3%
2006878.3%
2005565.4%
2004333.2%
200310510.0%
200214313.7%
200110.1%
199920.2%
199850.5%
199760.6%

代表作

  1. 0
    Physics-of-failure: an approach to reliable product development ↗

    2002 年 · 被引 104 次

  2. 1
    SiC power device reliability ↗

    2016 年 · 被引 65 次

  3. 2
    Modeling of hot-carrier degradation: Physics and controversial issues ↗

    2012 年 · 被引 56 次

  4. 3
    NBTI: What we know and what we need to know a tutorial addressing the current understanding and challenges for the future ↗

    2005 年 · 被引 42 次

  5. 4
    Oxide Reliability of SiC MOS Devices ↗

    2008 年 · 被引 41 次

  6. 5
    Threshold voltage drift in PMOSFETS due to NBTI and HCI ↗

    2002 年 · 被引 41 次

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