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Symposium on VLSI Technology

收录 2,171 篇论文，累计被引 39,287 次，出版年份 1981–2021。

收录篇数
2,171
总被引
39,287
篇均被引
18
单篇最高被引
1,062
年份区间
1981–2021
近五年篇数
53

逐年收录分布

近 32 个有收录的年份（最多 40 个）。悬停查看当年篇数。

01983961981 年：3 篇19811982 年：4 篇1983 年：7 篇1984 年：6 篇1985 年：12 篇19851986 年：8 篇1987 年：46 篇1990 年：66 篇1991 年：57 篇19911992 年：1 篇1993 年：74 篇1995 年：2 篇1997 年：19 篇19971998 年：4 篇1999 年：82 篇2000 年：2 篇2001 年：2 篇20012002 年：396 篇2003 年：146 篇2004 年：180 篇2005 年：92 篇20052006 年：163 篇2008 年：80 篇2010 年：92 篇2011 年：61 篇20112012 年：94 篇2013 年：53 篇2014 年：102 篇2015 年：88 篇20152017 年：85 篇2019 年：91 篇2021 年：53 篇2021
纵轴为当年收录篇数；峰值 396 篇（2002 年）。
查看数据表
年份篇数占比
2021532.4%
2019914.2%
2017853.9%
2015884.1%
20141024.7%
2013532.4%
2012944.3%
2011612.8%
2010924.2%
2008803.7%
20061637.5%
2005924.2%
20041808.3%
20031466.7%
200239618.2%
200120.1%
200020.1%
1999823.8%
199840.2%
1997190.9%
199520.1%
1993743.4%
199210.0%
1991572.6%
1990663.0%
1987462.1%
198680.4%
1985120.6%
198460.3%
198370.3%
198240.2%
198130.1%

代表作

  1. 0
    Stacked nanosheet gate-all-around transistor to enable scaling beyond FinFET ↗

    2017 年 · 被引 1,062 次

  2. 1
    A 22nm high performance and low-power CMOS technology featuring fully-depleted tri-gate transistors, self-aligned contacts and high density MIM capacitors ↗

    2012 年 · 被引 782 次

  3. 2
    Stable SRAM cell design for the 32 nm node and beyond ↗

    2005 年 · 被引 567 次

  4. 3
    28nm FDSOI technology platform for high-speed low-voltage digital applications ↗

    2012 年 · 被引 461 次

  5. 4
    Hybrid memory cube new DRAM architecture increases density and performance ↗

    2012 年 · 被引 444 次

  6. 5
    Vertical cell array using TCAT(Terabit Cell Array Transistor) technology for ultra high density NAND flash memory ↗

    2006 年 · 被引 376 次

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